Графеновая ячейка магниторезистивной памяти

Графен

Спинтроника

Устройство памяти

Ячейка памяти

Для создания быстродействующих записывающих устройств на основе передачи спинового момента

Оставить заявку

Усовершенствованное устройство записи для ячейки магнитной памяти

Несколько атомных слоев

в усовершенствованном учеными СПбГУ устройстве обеспечивают новый принцип записи информации в ячейке магнитной памяти
Порядка 1 нм

— толщина структуры для передачи спинового момента в записывающем устройстве
Передача спин-орбитального спинового момента

используется для работы ячейки памяти, предложенной исследователями СПбГУ

О проекте

Физики СПбГУ усовершенствовали ячейку магнитной памяти. Ее можно использовать для создания быстродействующих и энергоэффективных компьютерных составляющих на основе эффекта передачи спина. Разработка является важным шагом к технологической независимости в производстве оперативной памяти, работающей на новых физических принципах.

Исследователи СПбГУ предложили принципиально иную конструкцию ячейки магниторезистивной оперативной памяти SOT-MRAM, которая функционирует за счет эффекта спин-орбитального крутящего момента. Ученые добавили в нее ультратонкие слои металлов и графен. Последний имеет более высокую электропроводность, чем другие двумерные материалы. Благодаря модификации предложенная исследователями СПбГУ ячейка приобрела высокую скорость записи данных и более низкое энергопотребление.

Ее электронные свойства ученые протестировали в ресурсных центрах Научного парка Санкт-Петербургского государственного университета. Также специалисты уже отработали методику создания структуры и исследовали ее температурную стабильность.

Разработка ученых СПбГУ не уступает по техническим характеристикам современным продуктам от таких мировых гигантов, как IBM, Samsung, TSMC. Поэтому ее производство и создание на ее основе запоминающих устройств станет шагом на пути к импортозамещению и обеспечению технологического суверенитета России. Также она относится к элементам, необходимым для работы суперкомпьютеров, и ее производство будет способствовать увеличению их мощности.

Преимущества

Широта применения

Новый принцип управления намагниченностью может применяться не только в магнитной памяти SOT-MRAM, но и в других логических элементах спинтроники
Экономичность

Разработка исследователей Университета имеет малое энергопотребление
Производительность

Предложенная исследователями СПбГУ ячейка имеет высокую скорость записи информации
Конкурентоспособность

Разработка не уступает по техническим характеристикам проектируемым ячейкам памяти SOT-MRAM компании TSMC
Импортозамещение

Создание запоминающих устройств на основе предложенной учеными СПбГУ ячейки памяти поможет России получить технологическую независимость
Квантовый элемент

Усовершенствованная исследователями ячейка может использоваться в микропроцессорной архитектуре суперкомпьютеров

Пользователи

Предприятия, занимающиеся разработкой и производством электроники

Цели

Создать ячейку магниторезистивной оперативной памяти с более высокой скоростью записи информации и более низким энергопотреблением.

Выгоды

Разработка откроет возможность создавать более мощные микропроцессоры.

Команда

Анна Алексеевна Рыбкина

кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник СПбГУ (лаборатория электронной и спиновой структуры наносистем)